IPB049N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Nombor Bahagian
IPB049N06L3GATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
115W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 58µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
8400pF @ 30V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 5722 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB049N06L3GATMA1
IPB049N06L3GATMA1 Komponen elektronik
IPB049N06L3GATMA1 Jualan
IPB049N06L3GATMA1 Pembekal
IPB049N06L3GATMA1 Pengedar
IPB049N06L3GATMA1 Jadual data
IPB049N06L3GATMA1 Foto
IPB049N06L3GATMA1 harga
IPB049N06L3GATMA1 Tawaran
IPB049N06L3GATMA1 Harga terendah
IPB049N06L3GATMA1 Cari
IPB049N06L3GATMA1 Membeli
IPB049N06L3GATMA1 Chip