IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
Nombor Bahagian
IPB083N15N5LFATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
179W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
150V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
105A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.9V @ 134µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
45nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
210pF @ 75V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 11705 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB083N15N5LFATMA1
IPB083N15N5LFATMA1 Komponen elektronik
IPB083N15N5LFATMA1 Jualan
IPB083N15N5LFATMA1 Pembekal
IPB083N15N5LFATMA1 Pengedar
IPB083N15N5LFATMA1 Jadual data
IPB083N15N5LFATMA1 Foto
IPB083N15N5LFATMA1 harga
IPB083N15N5LFATMA1 Tawaran
IPB083N15N5LFATMA1 Harga terendah
IPB083N15N5LFATMA1 Cari
IPB083N15N5LFATMA1 Membeli
IPB083N15N5LFATMA1 Chip