Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIHD180N60E-GE3
MOSFET E SERIES 600V DPAK (TO-25
Nombor Bahagian
SIHD180N60E-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
E
Status Bahagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakej Peranti Pembekal
TO-252AA
Pelesapan Kuasa (Maks)
156W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
19A (Tc)
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
32nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1080pF @ 100V
Vgs (Maks)
±30V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 11342 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada SIHD180N60E-GE3
SIHD180N60E-GE3 Komponen elektronik
SIHD180N60E-GE3 Jualan
SIHD180N60E-GE3 Pembekal
SIHD180N60E-GE3 Pengedar
SIHD180N60E-GE3 Jadual data
SIHD180N60E-GE3 Foto
SIHD180N60E-GE3 harga
SIHD180N60E-GE3 Tawaran
SIHD180N60E-GE3 Harga terendah
SIHD180N60E-GE3 Cari
SIHD180N60E-GE3 Membeli
SIHD180N60E-GE3 Chip