Beli Vishay Siliconix SIHD2N80E-GE3 MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Helaian data

SIHD2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Nombor Bahagian

SIHD2N80E-GE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pakej Peranti Pembekal

D-PAK (TO-252AA)

Pelesapan Kuasa (Maks)

62.5W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

800V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

2.8A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2.75 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

19.6nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

315pF @ 100V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 42293 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SIHD12N50E-GE3

MOSFET N-CHAN 500V DPAK