Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIHD6N62ET1-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Nombor Bahagian
SIHD6N62ET1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
E
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakej Peranti Pembekal
TO-252AA
Pelesapan Kuasa (Maks)
78W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
620V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
34nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
578pF @ 100V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada chen_hx1688@hotmail.com, kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 36061 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada SIHD6N62ET1-GE3
SIHD6N62ET1-GE3 Komponen elektronik
SIHD6N62ET1-GE3 Jualan
SIHD6N62ET1-GE3 Pembekal
SIHD6N62ET1-GE3 Pengedar
SIHD6N62ET1-GE3 Jadual data
SIHD6N62ET1-GE3 Foto
SIHD6N62ET1-GE3 harga
SIHD6N62ET1-GE3 Tawaran
SIHD6N62ET1-GE3 Harga terendah
SIHD6N62ET1-GE3 Cari
SIHD6N62ET1-GE3 Membeli
SIHD6N62ET1-GE3 Chip