Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIHD9N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Nombor Bahagian
SIHD9N60E-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
E
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakej Peranti Pembekal
D-PAK (TO-252AA)
Pelesapan Kuasa (Maks)
78W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
9A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
368 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
52nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
778pF @ 100V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 52381 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada SIHD9N60E-GE3
SIHD9N60E-GE3 Komponen elektronik
SIHD9N60E-GE3 Jualan
SIHD9N60E-GE3 Pembekal
SIHD9N60E-GE3 Pengedar
SIHD9N60E-GE3 Jadual data
SIHD9N60E-GE3 Foto
SIHD9N60E-GE3 harga
SIHD9N60E-GE3 Tawaran
SIHD9N60E-GE3 Harga terendah
SIHD9N60E-GE3 Cari
SIHD9N60E-GE3 Membeli
SIHD9N60E-GE3 Chip