Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIHG100N60E-GE3
MOSFET E SERIES 600V TO247AC
Nombor Bahagian
SIHG100N60E-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
E
Status Bahagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-247-3
Pakej Peranti Pembekal
TO-247AC
Pelesapan Kuasa (Maks)
208W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
50nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1851pF @ 100V
Vgs (Maks)
±30V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 7487 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada SIHG100N60E-GE3
SIHG100N60E-GE3 Komponen elektronik
SIHG100N60E-GE3 Jualan
SIHG100N60E-GE3 Pembekal
SIHG100N60E-GE3 Pengedar
SIHG100N60E-GE3 Jadual data
SIHG100N60E-GE3 Foto
SIHG100N60E-GE3 harga
SIHG100N60E-GE3 Tawaran
SIHG100N60E-GE3 Harga terendah
SIHG100N60E-GE3 Cari
SIHG100N60E-GE3 Membeli
SIHG100N60E-GE3 Chip