Beli Vishay Siliconix SIHJ10N60E-T1-GE3 MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

SIHJ10N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO

Nombor Bahagian

SIHJ10N60E-T1-GE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® SO-8

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® SO-8

Pelesapan Kuasa (Maks)

89W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

600V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

10A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.5V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

50nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

784pF @ 100V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 28838 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SIHJ10N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO