Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIHJ7N65E-T1-GE3

SIHJ7N65E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
Nombor Bahagian
SIHJ7N65E-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
-
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pelesapan Kuasa (Maks)
96W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
7.9A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
598 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
44nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
820pF @ 100V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 49826 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SIHJ7N65E-T1-GE3
SIHJ7N65E-T1-GE3 Komponen elektronik
SIHJ7N65E-T1-GE3 Jualan
SIHJ7N65E-T1-GE3 Pembekal
SIHJ7N65E-T1-GE3 Pengedar
SIHJ7N65E-T1-GE3 Jadual data
SIHJ7N65E-T1-GE3 Foto
SIHJ7N65E-T1-GE3 harga
SIHJ7N65E-T1-GE3 Tawaran
SIHJ7N65E-T1-GE3 Harga terendah
SIHJ7N65E-T1-GE3 Cari
SIHJ7N65E-T1-GE3 Membeli
SIHJ7N65E-T1-GE3 Chip