Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIR606DP-T1-GE3

SIR606DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO
Nombor Bahagian
SIR606DP-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pelesapan Kuasa (Maks)
44.5W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
37A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
16.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.6V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
22nC @ 6V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1360pF @ 50V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 39026 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SIR606DP-T1-GE3
SIR606DP-T1-GE3 Komponen elektronik
SIR606DP-T1-GE3 Jualan
SIR606DP-T1-GE3 Pembekal
SIR606DP-T1-GE3 Pengedar
SIR606DP-T1-GE3 Jadual data
SIR606DP-T1-GE3 Foto
SIR606DP-T1-GE3 harga
SIR606DP-T1-GE3 Tawaran
SIR606DP-T1-GE3 Harga terendah
SIR606DP-T1-GE3 Cari
SIR606DP-T1-GE3 Membeli
SIR606DP-T1-GE3 Chip