Beli Vishay Siliconix SIR610DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

SIR610DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Nombor Bahagian

SIR610DP-T1-RE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

ThunderFET®

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® SO-8

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® SO-8

Pelesapan Kuasa (Maks)

104W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

200V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

35.4A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

38nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

1380pF @ 100V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

7.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 49325 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8