Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIR626LDP-T1-RE3

SIR626LDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
Nombor Bahagian
SIR626LDP-T1-RE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET® Gen IV
Status Bahagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pelesapan Kuasa (Maks)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
135nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
5900pF @ 30V
Vgs (Maks)
±20V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 5525 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SIR626LDP-T1-RE3
SIR626LDP-T1-RE3 Komponen elektronik
SIR626LDP-T1-RE3 Jualan
SIR626LDP-T1-RE3 Pembekal
SIR626LDP-T1-RE3 Pengedar
SIR626LDP-T1-RE3 Jadual data
SIR626LDP-T1-RE3 Foto
SIR626LDP-T1-RE3 harga
SIR626LDP-T1-RE3 Tawaran
SIR626LDP-T1-RE3 Harga terendah
SIR626LDP-T1-RE3 Cari
SIR626LDP-T1-RE3 Membeli
SIR626LDP-T1-RE3 Chip