Beli Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

SIS612EDNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Nombor Bahagian

SIS612EDNT-T1-GE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

TrenchFET®

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® 1212-8S

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Pelesapan Kuasa (Maks)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

20V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

50A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.2V @ 1mA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

70nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

2060pF @ 10V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks)

±12V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada chen_hx1688@hotmail.com, kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 28483 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SIS606BDN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212