Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIS612EDNT-T1-GE3

SIS612EDNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A SMT
Nombor Bahagian
SIS612EDNT-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8S
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
20V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
50A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3.9 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.2V @ 1mA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
70nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2060pF @ 10V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
2.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 44705 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SIS612EDNT-T1-GE3
SIS612EDNT-T1-GE3 Komponen elektronik
SIS612EDNT-T1-GE3 Jualan
SIS612EDNT-T1-GE3 Pembekal
SIS612EDNT-T1-GE3 Pengedar
SIS612EDNT-T1-GE3 Jadual data
SIS612EDNT-T1-GE3 Foto
SIS612EDNT-T1-GE3 harga
SIS612EDNT-T1-GE3 Tawaran
SIS612EDNT-T1-GE3 Harga terendah
SIS612EDNT-T1-GE3 Cari
SIS612EDNT-T1-GE3 Membeli
SIS612EDNT-T1-GE3 Chip