Beli Vishay Siliconix SIS778DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

SIS778DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Nombor Bahagian

SIS778DN-T1-GE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

Status Bahagian

Last Time Buy

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-50°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® 1212-8

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® 1212-8

Pelesapan Kuasa (Maks)

52W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Schottky Diode (Body)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

30V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

35A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.2V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

42.5nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

1390pF @ 15V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 30824 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SIS776DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8