Beli Vishay Siliconix SISS06DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

SISS06DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Nombor Bahagian

SISS06DN-T1-GE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

TrenchFET® Gen IV

Status Bahagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® 1212-8S

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® 1212-8S

Pelesapan Kuasa (Maks)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

30V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.2V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

77nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

3660pF @ 15V

Vgs (Maks)

+20V, -16V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

4.5V, 10V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 49324 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-