Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SISS08DN-T1-GE3

SISS08DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212
Nombor Bahagian
SISS08DN-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET® Gen IV
Status Bahagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8S
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8S
Pelesapan Kuasa (Maks)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
25V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
82nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3670pF @ 12.5V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 47281 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SISS08DN-T1-GE3
SISS08DN-T1-GE3 Komponen elektronik
SISS08DN-T1-GE3 Jualan
SISS08DN-T1-GE3 Pembekal
SISS08DN-T1-GE3 Pengedar
SISS08DN-T1-GE3 Jadual data
SISS08DN-T1-GE3 Foto
SISS08DN-T1-GE3 harga
SISS08DN-T1-GE3 Tawaran
SISS08DN-T1-GE3 Harga terendah
SISS08DN-T1-GE3 Cari
SISS08DN-T1-GE3 Membeli
SISS08DN-T1-GE3 Chip