Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Nombor Bahagian
SISS23DN-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-50°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-PowerVDFN
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pelesapan Kuasa (Maks)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Jenis FET
P-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
20V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
50A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
900mV @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
300nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
8840pF @ 15V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 20402 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SISS23DN-T1-GE3
SISS23DN-T1-GE3 Komponen elektronik
SISS23DN-T1-GE3 Jualan
SISS23DN-T1-GE3 Pembekal
SISS23DN-T1-GE3 Pengedar
SISS23DN-T1-GE3 Jadual data
SISS23DN-T1-GE3 Foto
SISS23DN-T1-GE3 harga
SISS23DN-T1-GE3 Tawaran
SISS23DN-T1-GE3 Harga terendah
SISS23DN-T1-GE3 Cari
SISS23DN-T1-GE3 Membeli
SISS23DN-T1-GE3 Chip