Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212
Nombor Bahagian
SISS27ADN-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET® Gen III
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8S
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pelesapan Kuasa (Maks)
57W (Tc)
Jenis FET
P-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
50A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
5.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
55nC @ 4.5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4660pF @ 15V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 47149 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SISS27ADN-T1-GE3
SISS27ADN-T1-GE3 Komponen elektronik
SISS27ADN-T1-GE3 Jualan
SISS27ADN-T1-GE3 Pembekal
SISS27ADN-T1-GE3 Pengedar
SISS27ADN-T1-GE3 Jadual data
SISS27ADN-T1-GE3 Foto
SISS27ADN-T1-GE3 harga
SISS27ADN-T1-GE3 Tawaran
SISS27ADN-T1-GE3 Harga terendah
SISS27ADN-T1-GE3 Cari
SISS27ADN-T1-GE3 Membeli
SISS27ADN-T1-GE3 Chip