Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S
Nombor Bahagian
SISS65DN-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET® Gen III
Status Bahagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8S
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8S
Pelesapan Kuasa (Maks)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Jenis FET
P-Channel
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
25.9A (Ta), 94A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.3V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
138nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4930pF @ 15V
Vgs (Maks)
±20V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 34133 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SISS65DN-T1-GE3
SISS65DN-T1-GE3 Komponen elektronik
SISS65DN-T1-GE3 Jualan
SISS65DN-T1-GE3 Pembekal
SISS65DN-T1-GE3 Pengedar
SISS65DN-T1-GE3 Jadual data
SISS65DN-T1-GE3 Foto
SISS65DN-T1-GE3 harga
SISS65DN-T1-GE3 Tawaran
SISS65DN-T1-GE3 Harga terendah
SISS65DN-T1-GE3 Cari
SISS65DN-T1-GE3 Membeli
SISS65DN-T1-GE3 Chip